特許

J-GLOBAL ID：200903043425658200

FET増幅器

発明者： 伊藤 康之 ,  望月 満 ,  高木 直
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 金山 敏彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123150
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327371
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 開放スタブ及び短絡スタブを必要とせず、小型化を図れるFET増幅器を得る。【構成】 半導体基板22上にバイパス用キャパシタ21と積層して並列共振用のキャパシタ20を形成し、両者を接続するエアーブリッジ又は金ワイヤにより並列共振用インダクタ19を形成した。並列共振回路とソース接地FET1のドレイン及び出力回路5は、エアーブリッジ又は金ワイヤからなるインダクタ17又は18により接続する。【効果】 スタブを用いないため、低周波化した場合に回路を小型化できる。

請求項（抜粋）：

入力される信号を増幅するソース接地FETと、並列共振回路を含みFETにより増幅された信号を後段の出力回路に瀘波して出力するようFETのドレインに接続されたフィルタと、を備え、フィルタによりFETの出力インピーダンスの周波数特性を抑制するFET増幅器において、フィルタがさらに縦続接続用インダクタ及びバイパス用キャパシタを含み、並列共振回路が並列共振用キャパシタ及び並列共振用インダクタを含み、一端が接地されたバイパス用キャパシタを半導体基板上に形成し、このバイパス用キャパシタの他端とその一端とが接続するよう並列共振用キャパシタをバイパス用キャパシタに積層形成し、バイパス用キャパシタの非接地端を並列共振用インダクタたるエアーブリッジ又は金ワイヤにより並列共振用キャパシタの他端と接続し、当該他端を縦続接続用インダクタたるエアーブリッジ又は金ワイヤによりFETのドレイン及び出力回路に接続したことを特徴とするFET増幅器。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-087406
  
• 特開昭54-134976
  
• 高効率増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-075516   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭63-092106