特許
J-GLOBAL ID:200903043429222938

透明導電性薄膜で被覆された高分子成形体の作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-341687
公開番号(公開出願番号):特開平5-156426
出願日: 1991年12月02日
公開日(公表日): 1993年06月22日
要約:
【要約】【目的】 基材との密着性、耐摩耗性、表面硬度に優れた透明導電性高分子成形体の作製手法を提供する。【構成】 ケイ素基を側鎖に有するバインダーポリマーを金属-酸素結合にて3次元的に架橋してなるプライマー層を形成せしめた後、その上に金属あるいは金属酸化物からなる透明導電性薄膜を形成させる透明導電性薄膜で被覆された高分子成形体の作製方法。
請求項(抜粋):
高分子基材表面上に下記一般式(1)【化1】(式中、R1、R2は水素または炭素数1〜10のアルキル基、アリール基、アラルキル基より選ばれる炭化水素基、Xはハロゲン、アルコキシ、アシロキシ、アミノキシ、フェノキシ、チオアルコキシ、アミノ基より選ばれる基、aは0〜2までの整数)で示されるケイ素基を側鎖に有するバインダーポリマー(数平均分子量1,000〜500,000、GPC-ポリスチレン換算)を金属-酸素結合にて3次元的に架橋してなるプライマー層を形成せしめた後、その上に金属あるいは金属酸化物からなる透明導電性薄膜を形成させる透明導電性薄膜で被覆された高分子成形体の作製方法。
IPC (5件):
C23C 14/20 ,  C08F 30/08 MNU ,  C08G 79/00 NUR ,  C08J 7/04 ,  C23C 14/08

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