特許

J-GLOBAL ID：200903043430239801

半導体装置

発明者： 森川 陽二 ,  藍郷 崇
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119035
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326731
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 電極、配線およびパッド部分の寄生容量を低下させた半導体装置を提供する。【構成】 シリコン基板10上にGaAs層11を積層した構造を有する基板を用いた半導体装置において、電極、配線またはパッド1を含む領域を取り囲むように、シリコン基板10とGaAs層との界面部分にできる導電層20に高抵抗な領域7を設けた半導体装置。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と、該第1の半導体層上に、第2の半導体層が積層され、該第1の半導体層と該第2の半導体層が接する界面部分の該第2の半導体層側に該第1の半導体層を構成する原子が不純物として拡散して生じた導電層をもつ構造を含む基板上に素子が形成された半導体装置において、前記素子を構成している電極、配線およびボンディングパッドの内、少なくとも1つの領域を取り囲むように、前記導電層に比較して高抵抗な領域を設けて、前記導電層を分離したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/68 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (3件)：

H01L 29/20 ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H