特許

J-GLOBAL ID：200903043434749456

配線用銅薄膜の形成方法とそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 粟屋 信義 ,  有田 睦信
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-274630
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139030
出願日： 1994年11月09日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】CVD法により配線用銅薄膜の形成において、凹凸が小さく平滑で電気的特性に優れ膜質の良好な銅薄膜を高堆積速度で形成することができ、原料物質の消費効率を向上させる。これを、半導体集積回路の多層配線の形成に適用し、高性能で信頼性の高い半導体装置を生産性よく製造する方法を提供し、LSI等の生産ラインの技術的、経済的な改善をはかる。【構成】銅薄膜の形成の初期段階に、原料ガスとして銅ヘキサフロロアセチルアセトナトとヘキサフロロアセチルアセトンとの混合ガス、もしくは水素ガスを加えた混合ガスを用いて化学気相成長を行い、初期の核形成密度を増大して凹凸が小さく平滑で良質の銅薄膜を形成する第1の工程と、次に、上記原料ガスを銅ヘキサフロロアセチルアセトナトと水素との混合ガスに切り換えて、高堆積速度で銅薄膜の化学気相成長を行う第2の工程を、少なくとも用いる。

請求項（抜粋）：

任意の半導体基板上に、化学気相成長法により平滑で膜質の良好な銅薄膜を高堆積速度で成膜する配線用銅薄膜の形成方法であって、上記銅薄膜の形成の初期段階において、原料ガスとして銅ヘキサフロロアセチルアセトナト-トリメチルビニルシランとヘキサフロロアセチルアセトンとの混合ガスを用いて化学気相成長を行い、初期の核形成密度を増大して凹凸が小さく平滑で良質の銅薄膜を形成する第1の工程と、次に、上記原料ガスを銅ヘキサフロロアセチルアセトナト-トリメチルビニルシランと水素との混合ガスに切り換えて、高堆積速度で銅薄膜の化学気相成長を行う第2の工程を、少なくとも用いることを特徴とする配線用銅薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R