特許

J-GLOBAL ID：200903043436327346

樹脂膜剥離方法及び装置とマスク及び半導体装置の製造方法

発明者： 宮薗 祐成
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146502
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017708
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 樹脂膜剥離方法及びそれに用いる装置と、前記樹脂膜剥離方法を用いたマスク及び半導体装置の製造方法に関し、選択的な樹脂膜剥離における剥離時間の短縮及び剥離品質の向上を図る。【構成】 被処理基板1上に被着された樹脂膜3に集光した遠紫外光(DUV) を連続的に移動照射して該樹脂膜3の該遠紫外光に照射された周辺領域4を選択的に除去する樹脂膜剥離方法において、該遠紫外光(DUV) の照射と同時に、該遠紫外光(DUV) に照射されている周辺領域4に異なる種類のアシストガスを噴射ノズル14を介し交互に吹きつけ該領域4の雰囲気を交互に変化させる樹脂膜剥離方法と、上記機能を備えた樹脂膜剥離装置、及び前記樹脂膜剥離方法を用いて基板周辺部の樹脂膜を選択的に除去するマスク及び半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

被処理基板(1) 上に被着された樹脂膜(3) に集光した遠紫外光(DUV) を連続的に移動照射して該樹脂膜(3) の該遠紫外光(DUV) に照射された領域(4) を選択的に除去する樹脂膜剥離方法において、該遠紫外光(DUV) の照射と同時に、該遠紫外光(DUV) に照射されている領域(4) にアシストガスを間欠的に吹きつけ該領域の雰囲気を間欠的に変化せしめることを特徴とする樹脂膜剥離方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 572 ,  H01L 21/302 H