特許
J-GLOBAL ID：200903043438756236
半導体単結晶およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-017674
公開番号（公開出願番号）：特開平7-223893
出願日： 1994年02月14日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、チョクラルスキー法(以下、CZ法)により製造された絶縁酸化膜の耐電圧特性(以下、酸化膜耐圧)の優れたシリコン単結晶およびその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 CZ法によりシリコン単結晶を製造する過程において、結晶製造炉内で?@1000°C〜1200°Cの結晶温度域において結晶冷却速度が1.0°C/分以下となる領域を形成させる(方法1)。さらに前記?@に加えて、?A1200°C以上の結晶温度域の結晶冷却速度を常に1.0°C/分以上にする(方法2)。また、前記?@に加えて、?B1000°C以下から500°C以上の結晶温度領域の結晶冷却速度を常に1.0°C/分以上にする(方法3)。さらに前記?@に加えて、前記?Aおよび?Bとする(方法4)。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する過程において、1200°C〜1000°Cの結晶温度域内に冷却速度が1.0°C/分以下となる領域ができるような条件で、結晶引き上げ成長することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 15/00
, C30B 15/20
, C30B 29/06
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
