特許

J-GLOBAL ID：200903043440433681

半導体装置

発明者： 宮本 正人
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-160398
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353438
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 光照度が増大してもゼロクロス動作を確保することができる半導体装置を提供することにある。【解決手段】 半導体装置は、その内部に設けられたn型ドレイン領域7,7’がn型ソース領域8,8’を取り囲むように形成されるとともに、ゲート電極12,12’を、n型ドレイン領域7,7’とn型ソース領域8,8’との間に延在するように形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板にトライアックおよび絶縁ゲート電界効果トランジスタおよび抵抗を備え、各絶縁ゲート電界効果トランジスタのドレイン領域およびソース領域が半導体基板の主表面側に形成したウエル領域内に形成され、各絶縁ゲート電界効果トランジスタおよび各抵抗が前記トライアックを構成する2つのサイリスタそれぞれのゲート・カソード間に接続され、前記絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲートが前記サイリスタのアノード若しくは前記半導体基板のいずれかに接続された半導体装置であって、前記ドレイン領域が前記ソース領域を取り囲むように形成するとともに、前記ゲートをドレイン領域とソース領域との間に延在するように形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/747 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/749 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 29/747 ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/74 601 A ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 102 C

Fターム (21件)：

5F005AB01 ,  5F005CA02 ,  5F005EA01 ,  5F005GA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AC05 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB07 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BE02 ,  5F140AA30 ,  5F140AB01 ,  5F140AB07 ,  5F140AB10 ,  5F140AC30 ,  5F140BF53 ,  5F140BH04 ,  5F140BH30