特許
J-GLOBAL ID：200903043441330312
高電子移動度トランジスタとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-162572
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013467
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 電子走行層としてGaAsを主成分とする半導体を用いた高電子移動度トランジスタおよびその製造方法に関し、電流通路の寄生抵抗をできるだけ低くすることのできる、GaAsを電子走行層に用いた高電子移動度トランジスタを提供することを目的とする。【構成】 GaAsを主成分とする半導体基板と、前記半導体基板上にエピタキシャルに形成され、GaAsを主成分とする電子走行層と、前記電子走行層上にエピタキシャルに形成され、電子走行層内の二次元電子ガスに対して電位障壁を形成する半導体で形成された電位障壁層と、前記電子走行層内の二次元電子ガスに側方より接するようにエピタキシャルに形成され、縦方向および横方向に組成傾斜を有するInGaAs領域と、前記InGaAs領域にオーミック接触するソース/ドレイン電極とを含む。
請求項（抜粋）：
GaAsを主成分とする半導体基板(1)と、前記半導体基板上にエピタキシャルに形成され、GaAsを主成分とする電子走行層(2a)と、前記電子走行層(2)上にエピタキシャルに形成され、電子走行層内の二次元電子ガスに対して電位障壁を形成する半導体で形成された電位障壁層(3、4)と、前記電子走行層(2)内の二次元電子ガスに側方より接するようにエピタキシャルに形成され、縦方向および横方向に組成傾斜を有するInGaAs領域(7、8)と、前記InGaAs領域(7、8)にオーミック接触するソース/ドレイン電極(9)とを含む高電子移動度トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/205
