特許
J-GLOBAL ID：200903043443700397
シリコン圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253390
公開番号（公開出願番号）：特開平7-110277
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】 外部温度の影響を受けずに、かつ、薄型のシリコン圧力センサを提供する。【構成】 ダイヤフラム12の周辺の基部11に、ピエゾ抵抗素子16に対向して基部の裏面側から基部の厚さの一部分にわたって設けられた溝14a〜14dを具えている。このため、外部温度の伝導による熱はダイヤフラムの周辺に設けられている溝によって抑制されてピエゾ抵抗素子に伝わりにくくなる。従って、従来のように支持台の高さを高くしたり、支持台の材質を工夫したりする必要がなくなるため、超薄型のシリコン圧力センサを得ることができる。また、周辺回路を第2シリコン基板の面、すつなち、シリコン基板とは反対側の面に設けてある。このため、従来に比べシリコン圧力センサを実装した後、例えばレーザトリマを用いて周辺回路の温度補償を行う際の調整が容易になる。
請求項（抜粋）：
ダイヤフラムと、該ダイヤフラムの周辺にこれと連続的に、かつ、該ダイヤフラムの表面と平坦面を形成する表面を有するように一体形成されている前記ダイヤフラムより肉厚の基部とを具えるシリコン基板と、前記ダイヤフラムの前記表面に設けられた少なくとも4個のピエゾ抵抗素子と、該ピエゾ抵抗素子の温度補償用の周辺回路及び前記シリコン基板を支持固定する支持部とを含むシリコン圧力センサにおいて、前記ダイヤフラムの周辺の前記基部に前記ピエゾ抵抗素子に対向して前記基部の裏面側から該基部の厚さの一部分にわたって設けられた溝を具えていることを特徴とするシリコン圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, G01L 19/04
, H01L 29/84
