半導体光デバイス、該半導体光デバイスの製造方法、および該半導体光デバイスの実装構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-197128
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040898
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】光ファイバーと半導体光デナイスとの高精度な実装位置を実現し、かつ、簡便な実装構造を提供する。【解決手段】半導体光デバイスである半導体レーザー1には活性層3を中心として、実装を行うための実装用リッジ4が形成されている。この実装用リッジ4は選択的結晶成長法で形成されており、その側面は約55度の(111)面が形成された構造となっている。一方のSiマザーボード2には光ファイバーを固定するための通常のV溝5が形成されている。このV溝5の側面も約55度の(111)面で形成されている。

請求項（抜粋）：

光が誘導放出される活性層が形成された半導体基板上に、該半導体基板を光ファイバーと共に実装用基板に実装した時の前記活性層の中心と前記光ファイバーの中心との相対位置を調整するための実装用リッジを形成してなり、前記実装用基板は該実装用リッジが嵌め込まれるV溝を有していて、該V溝は少なくとも(111)結晶方位面で形成されている半導体光デバイスにおいて、前記実装用リッジの側壁は少なくとも(111)結晶方位面で形成されていることを特徴とする半導体光デバイス。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , G02B 6/42

FI (2件)：

H01S 3/18 , G02B 6/42

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-057277
特開昭62-057277
特開昭55-157277

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