特許
J-GLOBAL ID：200903043447754394
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-170618
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004639
出願日： 2006年06月20日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】供給電圧よりも高電圧で駆動する種々のチップを搭載でき、電圧の異なる複数のチップを短時間でテスト可能な半導体装置を提供する。【解決手段】内部回路21及び内部回路21の駆動に必要な内部電圧を生成する内部電圧生成回路22をそれぞれ有する複数の半導体チップ20と、複数の半導体チップ20に電気的に接続され、供給電圧V1を昇圧する昇圧回路14、供給電圧V1を降圧する降圧回路15を含み、供給電圧V1から複数の半導体チップ20に供給するための複数の電源電圧を生成する電源電圧生成回路11と電源電圧生成回路11を制御する制御回路12とを有する電源チップ10とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内部回路及び前記内部回路の駆動に必要な内部電圧を生成する内部電圧生成回路をそれぞれ有する複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップに電気的に接続され、供給電圧を昇圧する昇圧回路、前記供給電圧を降圧する降圧回路を含み、前記供給電圧から前記複数の半導体チップに供給するための複数の電源電圧を生成する電源電圧生成回路と前記電源電圧生成回路を制御する制御回路とを有する電源チップ
とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 25/065
, H01L 25/07
H01L25/04 Z
, H01L25/08 Z
