特許
J-GLOBAL ID：200903043455332148
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099501
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310671
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 電極の総表面積をより大きくすることができ、DRAMセルに必要なキャパシタ容量の増大をはかり得る半導体記憶装置を提供すること。【構成】 シリコン基板上に形成された、一部にSNコンタクト部11を有する絶縁膜24と、この絶縁膜上24にSNコンタクト部11を覆うように形成された電極13とを備えた半導体記憶装置において、電極13は最小加工寸法よりも小さい幅の溝14により複数に分離され、かつ分離された各電極はSNコンタクト部11に埋め込まれた電極材料により電気的に接続されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された、一部にコンタクト部を有する絶縁膜と、この絶縁膜上にコンタクト部を覆うように形成され、かつ最小加工寸法よりも小さい幅の溝により複数に分離された電極とを具備し、前記分離された各電極は前記コンタクト部に埋め込まれた導電材料により電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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