特許

J-GLOBAL ID：200903043459027811

集積型光変調器

発明者： 秋山 浩一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山内 梅雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018134
公開番号（公開出願番号）：特開平10-213784
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 光部品の高密度化を達成することのできる集積型光変調器を得ること。【解決手段】 両端部が凸部121 、122 となったシリコン基板12の凹部には、誘電体結晶13が成膜され、これに光導波路14が形成されて、更にその上に信号電極18と接地電極19が形成されることで変調素子22が作成される。この入射側に位置する凸部121 には、LDベアチップ31からなる発光素子41が配置され、他の凸部122 にはV溝35が切られていて、これに沿って配置された光ファイバ38がガラスカバー37によって固定されている。このようにシリコン基板12に発光素子41と変調素子22が配置されるので、高密度化し、集積型光変調器のサイズの小型化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、このシリコン基板上に配置され、光導波路が形成された誘電体結晶からなる変調素子とを具備することを特徴とする集積型光変調器。

IPC (4件)：

G02F 1/035 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/30 ,  G02B 6/42

FI (4件)：

G02F 1/035 ,  G02B 6/30 ,  G02B 6/42 ,  G02B 6/12 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公平5-030800
  
• 特開昭62-194220
  
• 特開昭63-223570