特許

J-GLOBAL ID：200903043459383219

半導体結晶成長法

発明者： 渡辺 孝幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059234
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275521
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 組成の脱離を生じさせることなくコルゲーションを有するInP基板上に薄く、かつ均一な膜厚で、しかも良質な膜質のGaAsコーティング層を形成すること。【構成】 面方位(101)の基板上にコルゲーションを形成した後、該コルゲーションが形成された該基板上にGaAs保護層をコーティングするように構成する。

請求項（抜粋）：

面方位(101)の基板(1)上にコルゲーション(1a)を形成した後、該コルゲーション(1a)が形成された該基板(1)上にGaAs保護層(2)をコーティングすることを特徴とする半導体結晶成長法。