特許
J-GLOBAL ID：200903043461829372
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
難波 国英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-201380
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021317
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 簡単な手段で容易かつ安価に形成され、高精度なマスクアライメントを行なう。【構成】 アライメント光Bに対して非透光膜からなるマスクアライメント用パターン7をウエハ1の表面1aに形成し、その裏面1bのマスクアライメントに際し、ウエハ1とマスク52との位置合わせが上記パターン7を基準として行なう。【効果】 ウエハ1の裏面1bのマスクアライメントを上記ウエハ1の表面1a側に設定されたマスク52で行なうものであるから、片面マスクアライメントの露光機を用いて転写することが可能となり、半導体装置が安価となる。また、上記ウエハ1の表裏面1a,1bのマスクアライメントを同一のマスクアライメント用パターン7を基準として行なうものであるから、マスクアライメントが高精度に達成され、かつ、上記パターン7の形成が容易である。
請求項（抜粋）：
アライメント光に対して非透光膜からなるマスクアライメント用パターンをウエハの表面に形成する工程と、上記パターンを基準として上記ウエハの表面側に設定されたマスクとの位置合わせを行なう工程と、上記ウエハの表裏面を反転させてその裏面を上記マスクに対向させる工程と、この表裏面の反転されたウエハとマスクとの位置合わせを上記パターンを基準として行なう工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00
