特許

J-GLOBAL ID：200903043464253790

窒化物半導体発光素子とこれを含む装置

発明者： 津田 有三 ,  湯浅 貴之 ,  伊藤 茂稔 ,  種谷 元隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-344847
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151796
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体発光素子の発光寿命と発光強度を改善する。【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板の1主面に形成された溝と丘を含む加工基板101と、この加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層102と、この窒化物半導体下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層106を含む窒化物半導体多層発光構造とを含み、溝の幅が11〜30μmの範囲内にあり、かつ丘の幅が1〜20μmの範囲内にあることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板の一主面上に形成された溝と丘を含む加工基板と、前記加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層と、前記窒化物半導体下地層上でn型層とp型層との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層を含む窒化物半導体多層発光構造とを含み、前記溝の幅が11〜30μmの範囲内にあり、前記丘の幅が1〜20μmの範囲内にあることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C

Fターム (19件)：

5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA74 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB13 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA05 ,  5F073EA15 ,  5F073EA28