特許

J-GLOBAL ID：200903043466712953

成膜方法

発明者： 鈴木 雅隆
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-222976
公開番号（公開出願番号）：特開2003-034866
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 成膜基板上に傾斜度の大きい堆積膜を形成する。【解決手段】 低真空の条件下で、ターゲット101をスパッタリングして成膜基板103上に堆積膜を形成する。ターゲット101付近には、スパッタ粒子によって発生するプラズマ濃度が、ターゲット101から離れる方向に見て急激に減少する領域が生じる。この領域内に、成膜基板103を、その成膜面がターゲット101のスパッタ面に対して傾いて位置するように配置して、ターゲット101に近い部分ほど膜厚が厚い堆積膜を形成する。

請求項（抜粋）：

成膜基板の成膜面に向って放出粒子を放出させ、該放出粒子を含む成膜粒子を堆積させて膜を形成する成膜方法であって、所定の圧力を有する低真空の空間内に、単位時間当たりに到達する前記成膜粒子の数が、前記放出粒子の放出位置から離れる方向に見て急激に減少する領域内に、前記放出粒子の放出位置から前記成膜面までの距離が、前記成膜面の少なくとも一部で位置毎に異なるように前記成膜基板を配置して、前記成膜面の少なくとも一部で位置毎に膜厚が異なる膜を形成する成膜方法。

FI (2件)：

C23C 14/34 S ,  C23C 14/34 J

Fターム (6件)：

4K029BB01 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA15 ,  4K029JA00 ,  4K029JA02