研磨パッドおよび研磨装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012162
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216121
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェーハ上に形成された絶縁層または金属配線等の凹凸のある表面を研磨によって平滑化する平坦化で使用するための研磨パッドまたは研磨装置において、研磨層は研磨を行っていくと、研磨層の微細孔部分に、研磨屑やスラリー等が堆積し目詰まりを生じるため、研磨特性が安定していないと言う問題点が指摘されている。【解決手段】導電性微粒子を含有したシンタクチックフォームからなる研磨層を有する研磨パッド。

請求項（抜粋）：

導電性微粒子を含有したシンタクチックフォームからなる研磨層を有する研磨パッド。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00 , B24D 3/00 350 , B24D 3/02 310 , B24D 3/28 , B24D 3/34

FI (6件)：

H01L 21/304 622 F , B24B 37/00 C , B24D 3/00 350 , B24D 3/02 310 D , B24D 3/28 , B24D 3/34 A

Fターム (16件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 3C063AA10 , 3C063AB02 , 3C063AB05 , 3C063BB02 , 3C063BB07 , 3C063BC01 , 3C063BC03 , 3C063BD05 , 3C063BE06 , 3C063BG07 , 3C063EE10 , 3C063FF01

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-156111 出願人：株式会社東芝, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
研磨布及びその研磨布の研磨機定盤への脱着方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-101379 出願人：ニッタ株式会社
レジンボンド砥石
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-074740 出願人：三菱マテリアル株式会社

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