特許
J-GLOBAL ID：200903043483757278
シリコンのエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060513
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264507
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 極端なスループットの悪化をまねかずに、シリコンが成長した絶縁膜を過剰にエッチングすることがなく、絶縁膜の残留膜厚を安定化することができるシリコンのエッチング方法を提供する。【構成】 絶縁膜上の一部領域に成長したシリコンのエッチングにおいて、第1のステップではフッ素系ガスによりシリコン表面の自然酸化膜を除去し、第2のステップでは水素原子を組成中に含むガスにより残留フッ素を除去し、第3のステップでは非フッ素系ハロゲン化ガスによりシリコンをエッチングする。第2のステップにおいて第1のステップで発生した残留フッ素を除去しているため、残留フッ素が第3のステップの対絶縁膜高選択比を損なうことがない。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上の一部の領域に形成したシリコンをエッチングするシリコンのエッチング方法であって、フッ素原子を組成中に含有するガスを用いて前記シリコン表面の自然酸化膜を除去する第1のステップと、水素ガスまたは水素原子を組成中に含有するガスを用いてプラズマを発生させる第2のステップと、フッ素を除くハロゲン原子を組成中に含有するガスを用いて前記シリコンをエッチングする第3のステップとを含むことを特徴とするシリコンのエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 J
, H01L 21/302 F
