特許

J-GLOBAL ID：200903043488130117

半導体レーザ

発明者： 山本 剛之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272541
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110193
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】本発明は、光通信や光インタコネクション等の光源として用いられる半導体レーザに関し、光閉込め層における再結合電流を低減させて低しきい値電流の半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】n型半導体基板10上にn型クラッド層12、n側光閉込め層14、活性層16、p側光閉込め層18、p型クラッド層20が順次形成された半導体レーザにおいて、p側光閉込め層18と活性層16の伝導帯下端の不連続量ΔEcpが、n側光閉込め層14と活性層16の伝導帯下端の不連続量ΔEcnより大きく、n側光閉込め層14と活性層16の価電子帯上端の不連続量ΔEvnが、p側光閉込め層18と活性層16の価電子帯上端の不連続量ΔEvpより大きくなるように構成する。

請求項（抜粋）：

n型クラッド層と、前記n型クラッド層上に設けられたn側光閉込め層と、前記n側光閉込め層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたp側光閉込め層と、前記p側光閉込め層上に形成されたp型クラッド層とを有する半導体レーザにおいて、前記p側光閉込め層と前記活性層の伝導帯下端の不連続量が、前記n側光閉込め層と前記活性層の伝導帯下端の不連続量より大きいことを特徴とする半導体レーザ。