特許

J-GLOBAL ID：200903043489855433

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 高岡 圭児 ,  櫛部 光弘 ,  本橋 健次 ,  古山 英人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097592
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 活性層の側面付近を流れるリーク電流を低減することができ、十分な低しきい値電流動作と高光出力動作可能な半導体レーザを提供すること。【構成】 n型InP基板1上に、n型InPバッファ層2,GaInAsP活性層3及びp型InPキャップ層4を順次積層した半導体多層膜をストライプ状に加工してなるメサストライプ部と、このメサストライプ部の側面を埋め込んで形成されたp型InP電流ブロック層5と、この電流ブロック層5の上に形成されたn型InP電流ブロック層6とを備えた埋込み型半導体レーザにおいて、メサストライプ部のうち活性層3となる半導体層の幅を、活性層3に隣接する半導体層2,4の幅よりも広く形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された活性層を含む半導体多層膜を所定幅にてストライプ状に加工してなるメサストライプ部と、このメサストライプ部の側面を埋め込んで形成された電流ブロック層とを具備し、前記メサストライプ部のうち活性層となる半導体層の幅が該活性層に隣接する半導体層の幅よりも広いことを特徴とする半導体レーザ。