伸線用ダイスおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315680
公開番号（公開出願番号）：特開平5-146820
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【構成】孔径が1mm以下の伸線用ダイスが内部に設置された反応炉内に炉内圧力1torr以下の条件にて電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD法により前記伸線用ダイスの孔内面に表面粗さ(Rmax)が0.8μm以下の好ましくは実質的にダイヤモンドと非晶質炭素から構成され、ラマン分光スペクトル分析において1333±10cm-1のピーク強度H1 と、1500±100 cm-1のピーク強度H2 のH2 /H1 の比率が0.2〜20の硬質炭素膜を被覆形成する。【効果】孔径の小さい伸線用ダイスに対して硬質で、成膜後の表面粗さの小さい炭素膜を均一に形成することができるとともに、AlやCu等の軟質な金属の伸線加工においてダイスに対して溶着等が生じずに耐摩耗性を向上させダイスの長寿命化を図ることができる。

請求項（抜粋）：