特許

J-GLOBAL ID：200903043490973113

複合誘電体層及び同形成方法

発明者： ダグラス ティックノアー グライダー,ザ サード ,  ポール エドワード ニコリアン ,  スチーブ フシア
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324905
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189587
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置100の中に含まれた電極材料110とチャネル領域108との間を隔離する薄い誘電体102に対しては、電極材料110からのドーパントの滲透を阻止するために含有する窒素の濃度の値と、チャネル領域108に対する悪影響を防止するのに必要な含有窒素の濃度の制限値との間において、トレードオフの問題がある。【解決手段】 上記誘電体102として複合誘電体層を使用し、その第2の層114は電極材料110に隣接して位置し、それからのドーパントの滲透を阻止するのに十分な窒素濃度(例えば5〜15%)を有し、その第1の層112はチャネル領域108に隣接して、チャネル領域108と第2の層114との間に位置し、僅かな窒素濃度(例えば0〜1%)を有し、それにより第2の層114をチャネル領域108から隔離するとともに、チャネル領域108の中のキャリヤの移動度に対する窒素の悪影響を最小にする。

請求項（抜粋）：

1%より少ない窒素含有量を有する第1の誘電体層、及びドーパントの浸透を阻止するために十分な窒素含有量を有する第2の誘電体層、を包含することを特徴とする複合誘電体層。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• MOS型電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-243359   出願人：日本電気株式会社