特許
J-GLOBAL ID：200903043500022775
磁気抵抗効果膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200881
公開番号（公開出願番号）：特開平8-049063
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 高温下でも磁気抵抗効果特性の劣化が生じにくく、巨大磁気抵抗効果が安定して得られる磁気抵抗効果膜を提供することを目的とする。【構成】 導体層と磁性体層とが交互に積層されてなる人工格子膜構造の磁気抵抗効果膜、又は磁性体層と導体層と磁性体層とがこの順に積層されてなるスピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜において、導体層の主成分をCu,Ag,Crより選ばれる元素として、これら主成分である元素に対する固溶上限が室温において1%以下の添加元素を導体層に0.1〜30原子%添加させる。あるいは、磁性体層の主成分をFe,Co,Niとして、これら主成分である元素に対する固溶上限が室温において1%以下の添加元素を磁性体層に0.1〜30原子%添加させる。
請求項（抜粋）：
導体層と磁性体層とが交互に積層されてなる人工格子膜構造の磁気抵抗効果膜において、導体層が、Cu,Ag,Crより選ばれる元素を主成分とし、且つ、これら主成分である元素に対する固溶上限が室温において1%以下の添加元素を0.1〜30原子%含むことを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (6件)：
C23C 14/14
, C23C 14/34
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/14
, H01L 43/02
