特許

J-GLOBAL ID：200903043500065520

縦型ヒューズおよび製造方法

発明者： ステファン ジェイ ウェーバー ,  ロイ イッガルデン ,  チャンドラセカール ナラヤン ,  アクセル クリストフ ブリンツィンガー ,  マーク ホインキス ,  ロバート ヴァン デン バーグ
出願人/特許権者： インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046289
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243213
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップ上でヒューズが占める面積を縮小すること。また、半導体デバイスのヒューズに対する、ヒューズ抵抗を調整する方法を提供すること。【解決手段】 半導体のヒューズを、導電性経路が表面に配置された基板と、前記基板に配置された誘電体層と、前記表面に垂直に配置された縦型ヒューズとを有するように構成し、前記縦型ヒューズは誘電体層を貫通し、前記導電性経路に接続し、前記縦型ヒューズは空孔を備え、前記空孔の縦表面にはライナ材料が配置され、縦表面に沿ったライナ材料は溶けてヒューズを切断するようにする。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス用のヒューズにおいて、導電性経路が表面に配置された基板と、前記基板に配置された誘電体層と、前記表面に垂直に配置された縦型ヒューズとを有し、前記縦型ヒューズは誘電体層を貫通し、前記導電性経路に接続し、前記縦型ヒューズは空孔を形成し、前記空孔の縦表面に沿ってライナ材料が配置され、縦表面に沿ったライナ材料は溶けてヒューズを切断する、ことを特徴とするヒューズ。

IPC (2件)：

H01H 85/00 ,  H01H 69/02

FI (2件)：

H01H 85/00 T ,  H01H 69/02