特許

J-GLOBAL ID：200903043501186046

無電解Ni-Pの連続めっき法

発明者： 山下 智章 ,  嶋崎 威 ,  山本 弘
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320834
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176838
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【目的】 めっき反応で生成する亜リン酸の蓄積に対し、その除去を行わずしても液安定性に優れ、一定の析出速度が得られる無電解Ni-P連続めっき法を提供する。【構成】 水溶性Ni塩、次亜リン酸塩及び錯化剤としてヒドロキシル基を2以上持つヒドロキシルカルボン酸を含む無電解Ni-Pめっき液に被めっき物を浸漬し、該被めっき物上にNi-Pの皮膜を形成する無電解Ni-Pの連続めっき法において、めっき進行により生じる上記めっき液中のNiイオンと次亜リン酸イオンの減少及びpHの低下に応じ、Niイオン、次亜リン酸イオン、アルカリイオン及び錯化剤として前記無電解Ni-Pめっき液中のヒドロキシルカルボン酸と異なるヒドロキシルカルボン酸を含む補充液を添加し各イオン濃度を所定管理範囲に調整し、Ni-P皮膜を形成させる。

請求項（抜粋）：

水溶性Ni塩、次亜リン酸塩及び錯化剤としてヒドロキシル基を2以上持つヒドロキシルカルボン酸を含む無電解Ni-Pめっき液に被めっき物を浸漬し、該被めっき物上にNi-Pの皮膜を形成する無電解Ni-Pの連続めっき法において、めっき進行により生じる上記めっき液中のNiイオンと次亜リン酸イオンの減少及びpHの低下に応じ、Niイオン、次亜リン酸イオン、アルカリイオン及び錯化剤として前記無電解Ni-Pめっき液中のヒドロキシルカルボン酸と異なるヒドロキシルカルボン酸を含む補充液を添加し各イオン濃度を所定管理範囲に調整し、Ni-P皮膜を形成させることを特徴とするNi-Pの連続めっき法。