特許
J-GLOBAL ID：200903043504066858
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304248
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】パワートランジスタモジュールなどの電力用半導体装置を対象に、高い放熱性,ノイズ耐量を確保しつつ、金属絶縁基板の所要面積を縮減して装置全体の小形化が図れるように構成した半導体装置を提供する。【構成】樹脂ケース5に金属絶縁基板1, 該金属絶縁基板にマウントした半導体チップ(パワートランジスタ)2, 制御回路部品3, および外部導出端子4を組み込んでなる半導体装置において、樹脂ケース内の中段位置に半導体チップの実装域を欠如して金属絶縁基板の上面域を覆う中仕切壁5aを設け、この中仕切壁の上面側に半導体チップと隔離して外部導出端子, 制御回路部品,およびその配線導体を配置するとともに、半導体チップは金属箔1cがパターンニングを施してない金属絶縁基板の上に放熱用金属板を介してマウントする。
請求項（抜粋）：
樹脂ケースに金属絶縁基板, 該金属絶縁基板にマウントした半導体チップ, 制御回路部品, および外部導出端子を組み込み、半導体チップと制御回路部品, 外部導出端子との間をワイヤボンディングして内部接続した半導体装置において、前記ケース内の中段位置に半導体チップの実装域を欠如して金属絶縁基板の上面域を覆う中仕切壁を設け、該中仕切壁の上面側に外部導出端子,制御回路部品,およびその配線導体を配置したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
H01L 25/04 C
, H01L 23/12 J
, H01L 23/12 F
