特許
J-GLOBAL ID：200903043510636780
半導体装置の多層配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菊池 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-080499
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102314
出願日： 1991年03月20日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 層間接続部は勿論のこと、他の部分においても上層配線金属の被覆性を改善する。【構成】 下層配線の層間接続部上に導電材の柱を設けた上で、層間絶縁膜を堆積させ、その層間絶縁膜の表面をメカニカルケミカルポリッシングで平坦にすると同時にその表面に前記導電材の柱の表面を露出させる。層間接続部は導電材の柱で埋め込まれた構造となる。かつ層間絶縁膜の表面全体が平坦となる。
請求項（抜粋）：
下地構造体上に下層配線を形成する工程と、その下層配線上に、層間接続部において導電材の柱を形成する工程と、その柱および前記下層配線を覆うように前記下地構造体上の全面に層間絶縁膜を形成する工程と、その層間絶縁膜の表面をメカニカルケミカルポリッシング法で研磨することにより該表面を平坦とし、かつその表面に前記柱の上面を露出させる工程と、その露出した柱の上面と接続して前記層間絶縁膜上に上層配線を形成する工程とを具備してなる半導体装置の多層配線形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
