特許
J-GLOBAL ID：200903043521627138
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242199
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116918
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 小信号用半導体素子と電力用電界効果トランジスタとを集積した半導体装置において電力用電界効果トランジスタの耐圧向上が要求されている。【解決手段】 P形の第1の半導体領域1に小信号用半導体素子のための埋め込み層としてのN形の第2の半導体領域2を設ける他に、これを囲むようにフロ-ティング領域31、32を設ける。第1及び第2の半導体領域1、2の上及びフロ-ティング領域31、32の上にエピタキシャル成長法でN形の第3の半導体領域3を設ける。この第3の半導体領域3に小信号半導体素子及び電力用のMOS型電界効果トランジスタを形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電形の第1の半導体領域と、前記第1導電形と反対の第2導電形を有し、前記第1の半導体領域の一方の主面の一部に隣接するように配置され且つ前記第1の半導体領域の厚みを低減させるように前記第1の半導体領域に食い込んだ状態に形成された第2の半導体領域と、第2導電形を有し且つ前記第2の半導体領域よりも低い不純物濃度を有する半導体領域であって、前記第1の半導体領域の前記一方の主面に隣接すると共に前記第2の半導体領域が埋め込み層となるように前記第2の半導体領域にも隣接している第3の半導体領域と、前記第3の半導体領域の前記第2の半導体領域の上に位置する部分の中に形成された小信号用半導体素子のための半導体領域と、前記小信号用半導体素子よりも大きな電流容量を有する絶縁ゲ-ト型電界効果トランジスタのためのドレイン領域であって、第2導電形を有し且つ前記第3の半導体領域よりも高い不純物濃度を有し、前記第3の半導体領域の前記第2の半導体領域の上に位置する部分の中に形成された第4の半導体領域と、第1導電形を有し、前記第2の半導体領域から離間した位置で前記第1の半導体領域の一方の主面に隣接していると共に前記第3の半導体領域の側面にも隣接している第5の半導体領域と、第2導電形を有するソ-ス領域であって、前記第5の半導体領域を介して前記第3の半導体領域に対向するように前記第5の半導体領域の中に形成されている第6の半導体領域と、平面的に見て前記第2の半導体領域と前記第5の半導体領域との間において前記第2の半導体領域に接近又は隣接するように配置され、且つ厚み方向において前記第1の半導体領域と前記第3の半導体領域に挟まれるように配置され、且つ前記第3の半導体領域よりも高い不純物濃度を有していると共に第2導電形を有している第7の半導体領域と、少なくとも前記第3の半導体領域と前記第6の半導体領域との間の前記第5の半導体領域の表面を覆うように形成された絶縁膜と、前記第4の半導体領域に形成されたドレイン電極と、前記第6の半導体領域に形成されたソ-ス電極と、前記絶縁膜の上に形成されたゲ-ト電極と、前記第5の半導体領域に形成されたグランド電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/06
, H01L 29/78
H01L 27/06 102 F
, H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 656 C
