特許

J-GLOBAL ID：200903043524881400

半導体の空隙を低温低圧で充填を行う処理方法

発明者： ギリッシュ エー.ディジィット ,  アンソニー コネクニ ,  ロバート エイチ.ヘーブマン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-331130
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275142
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 誘電率の小さな誘電体を用いることが許容される、比較的低い温度で集積回路のコンタクトおよび孔の充填のための処理方法を提供する。【解決手段】 約300°Cを越えない比較的低い温度で、誘電率の小さな(すなわち、誘電率<約3.0)重合体を用いることが許容される温度範囲である約20°C〜275°Cの好ましい温度で、空洞28の充填が行われる。空洞充填を容易に行うために、これらの空洞はチタン元素を有しないライナ47を備えることが好ましく、そして約100°C〜300°Cの範囲の温度で、1気圧から約50MPaの圧力で、好ましくは30MPaを越えない圧力で、強制充填の方法により、空洞の中に導入されるCVD沈着アルミニウムでこれらの空洞が充填される。前記方式で充填された空洞は、従来の方式で充填された構造体よりも、30%小さな電気抵抗値を示す。

請求項（抜粋）：

半導体基板を備える段階と、前記半導体基板に空洞を形成する段階と、約300°C以下の温度および1気圧以下の圧力で空洞ライナを沈着する段階と、前記空洞ライナの少なくとも一部分の上に配置されるように約300°C以下の温度で空洞充填金属を沈着する段階と、前記空洞ライナに対し約30MPa以下の低い圧力を加える段階と、を有する、半導体基板の中に作成された空洞を充填する処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高圧リフローによる孔の埋め込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-006878   出願人：ソニー株式会社