特許
J-GLOBAL ID：200903043530898918
圧電薄膜複合共振子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308693
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142954
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 機械的品質係数Qが大きく、かつ、加工が容易で生産性の高い超小型の圧電薄膜複合共振子およびその製造方法を提供する。【構成】 Si基板1の内部に酸素イオンを注入し、Si基板1面に沿って伸びるSiO2 層11を形成し、単結晶Si層15をエピタキシャル成長させ、この単結晶Si層15上に誘電体膜としてのSiO2 膜2を介して励振用圧電膜5と駆動電極3A,3Bを形成し、前記SiO2 層11をエッチングして空隙穴7を形成して、単結晶Si層15を振動体8とした複合共振子10eを得る。
請求項（抜粋）：
Si基板の内部に該Si基板の面に沿って伸びるトンネル状の空隙穴を形成して、該空隙穴の上側部分のSi材を振動体と成し、この振動体の上側に誘電体膜を介して励振用の圧電膜と、この圧電膜を励振駆動する電極とが形成されている圧電薄膜複合共振子。
IPC (2件)：
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