特許

J-GLOBAL ID：200903043534917526

金属配線の形成方法

発明者： 村尾 健二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044859
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243273
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、光線の照射により非導電性および/または導電性の基体表面の任意の位置に銅等電気配線となしうる金属の薄膜を析出するに際して、十分な析出膜厚を簡便な工程と十分な析出速度で実現しうる方法を提供することにある。【解決手段】導電線路としうる金属パターンを設ける方法は、外皮を保護コロイドとする該金属コロイドを前駆体として該基体上に薄膜として堆積し、次いでこの表面に空間選択的な光照射を行って該外皮を分解もしくは破壊して金属薄膜とし、次いで非露光部の金属コロイドを除去する。

請求項（抜粋）：

基体上に実質的に導電線路としうる金属パターンを設ける方法において、外皮を保護コロイドとする該金属コロイドを前駆体として該基体上に薄膜として堆積し、次いでこの表面に空間選択的な光照射を行って該外皮を分解もしくは破壊して金属薄膜とし、次いで非露光部の金属コロイドを除去することを特徴とする金属配線の形成方法。