特許
J-GLOBAL ID:200903043538751495

樹脂封止型半導体デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 篠部 正治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-313838
公開番号(公開出願番号):特開2000-150720
出願日: 1998年11月05日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】樹脂封止型半導体デバイスのパッケージ外形サイズを小さく抑えつつ、制御端子と封止樹脂との間で高い接着強度が確保できるように改良する。【解決手段】リードフレーム3を使ってパワー素子1,制御素子2をマウントするとともに、リードフレームの裏面側には放熱金属板4を配し、その周域を樹脂6にて一体に封止した樹脂封止型半導体デバイスにおいて、制御素子にワイヤ接続してパッケージから側方に引出した制御端子3dのリード片をストレート形状となすとともに、封止樹脂層内に埋没している制御端子のインナリード部に切欠き凹所3d-1を形成して封止樹脂とアンカー(投錨)結合させる。これにより、制御端子/樹脂間の接着強度が高まり、外力Fが加わっても制御端子がパッケージから簡単に抜けることがなくなる。
請求項(抜粋):
リードフレームのダイパッドにパワー素子,および制御素子を個別にマウントするとともに、リードフレームの裏面側には絶縁間隔を隔てて放熱金属板を配し、その周域を樹脂にて一体に封止した樹脂封止型半導体デバイスにおいて、制御素子にワイヤ接続したリードフレームの制御端子をストレート形状として樹脂パッケージから側方に引出すとともに、封止樹脂層内に埋没している制御端子のインナリード部に切欠き部を形成して封止樹脂とアンカー結合させたことを特徴とする樹脂封止型半導体デバイス。
IPC (2件):
H01L 23/28 ,  H01L 23/50
FI (5件):
H01L 23/28 A ,  H01L 23/28 B ,  H01L 23/28 E ,  H01L 23/50 H ,  H01L 23/50 X
Fターム (15件):
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DB02 ,  4M109FA04 ,  4M109GA02 ,  4M109GA05 ,  5F067AA01 ,  5F067AA03 ,  5F067AA04 ,  5F067AB02 ,  5F067BB04 ,  5F067BD08 ,  5F067CA01 ,  5F067CD01

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