特許

J-GLOBAL ID：200903043545691384

CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者： 山本 靖浩
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131550
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308043
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 高平坦化可能であり、酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷なく、高速に研磨することが可能なCMP研磨剤、さらには保存安定性を改良したCMP研磨剤及び基板の被研磨面を、傷なく、また被研磨面の膜厚均一性を向上させることが可能な基板の研磨方法を提供する。【解決手段】 酸化セリウム粒子、分散剤、陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含むCMP研磨剤並びに研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、前記CMP研磨剤を研磨布から滲み出し、研磨膜と研磨布の間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する基板の研磨方法。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、分散剤、陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含むCMP研磨剤。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 E ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z

Fターム (6件)：

3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• CMP研磨剤及び基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-286349   出願人：日立化成工業株式会社