高純度ホスフィンまたは他のガスを製造するための方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-558027
公開番号（公開出願番号）：特表2002-519295
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2002年07月02日
要約：

【要約】半導体の製造及びドーピングにおいて使用する高純度ホスフィンガスまたは別のガスの生成のための化学装置及び方法を説明する。好ましい装置は、マイクロ波放射を用いてガスを生成するための手段と、製造速度を制御するための手段(10)と、生成物ガスを精製するための手段と、ガスと希釈用ガスとに制御されたブレンドを施して所望の供給組成物にするための手段と、を含む。これによって、半導体を製造しドープするプロセス中に直接導入するための、必要な体積、適切な圧力で十分な純度を持つガスを生成する。

請求項（抜粋）：

マイクロ波透過性で金属を含まずかつガス不浸透性で加圧された反応帯域を前駆体材料が通過する間に、マイクロ波放射と該前駆体材料との相互作用によってホスフィンガスを製造することを含む、高純度ホスフィンガスを生成する方法。

IPC (5件)：

C01B 25/06 , C23C 16/448 , H01L 21/205 , H01L 21/223 , H05B 6/80

FI (5件)：

C01B 25/06 , C23C 16/448 , H01L 21/205 , H01L 21/223 Z , H05B 6/80 Z

Fターム (16件)：

3K090NB07 , 3K090PA01 , 3K090PA03 , 3K090PA07 , 4K030AA08 , 4K030AA17 , 4K030AA20 , 4K030EA01 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030LA12 , 4K030LA15 , 5F045AC19 , 5F045BB20 , 5F045EE02 , 5F045GB07

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭64-068475
特開平1-133910
特開昭49-127900

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