特許

J-GLOBAL ID：200903043554106869

光電変換素子及びその製造方法

発明者： 尾▲崎▼ 祐介 ,  川上 哲司 ,  中島 啓造 ,  脇田 克也 ,  園田 信雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320004
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176773
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 光電変換素子の光電気エネルギー変換効率を向上させる。【構成】 半導体層の表面に凹凸加工を施し、積層方向投影面積当たりの担持色素数を増加させる。

請求項（抜粋）：

透明導電体層及び前記透明導電体層の上に形成された半導体層に色素を担持させた色素担持半導体層とを有する電極と、前記色素担持半導体層と対向する対電極と、前記色素担持半導体層と前記対電極との間に設けられた電子移動層とを具備し、前記色素担持半導体層の色素が担持される面が凹凸を有する光電変換素子。