特許

J-GLOBAL ID：200903043557044678

半導体装置およびその製造方法

発明者： 高橋 典之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立米沢電子株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284967
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114427
出願日： 1998年10月07日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 薄膜配線基板とモールド部との密着性を向上させて信頼性の向上を図る。【解決手段】 チップ支持部およびその周囲に迫り出した基板突出部2cを備えた薄膜配線基板2と、半導体チップを樹脂封止して形成したモールド本体部6aと、薄膜配線基板2のチップ支持面2b側にモールド本体部6aの角部6dから突出して形成されたモールド突出部6bと、薄膜配線基板2の裏面の基板角部2hに設けられたモールド補強部6cと、前記チップ支持部および基板突出部2cの前記裏面側に設けられた複数のはんだボール3とからなり、モールド本体部6aとモールド突出部6bとモールド補強部6cとがトランスファーモールドによって一体に形成されているため、薄膜配線基板2とモールド部6との密着性の向上を図れる。

請求項（抜粋）：

樹脂封止形の半導体装置であって、半導体チップを支持するチップ支持部およびその周囲に迫り出した基板突出部を備えた薄膜配線基板と、前記半導体チップを樹脂封止して形成したモールド本体部と、前記薄膜配線基板のチップ支持面側に前記モールド本体部の角部から突出して形成されたモールド突出部と、前記薄膜配線基板の前記チップ支持面側と反対側の非チップ支持面の基板角部に設けられたモールド補強部と、前記薄膜配線基板の前記チップ支持部および前記基板突出部の前記非チップ支持面側に設けられた外部端子とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 23/28 J ,  H01L 21/56 T ,  H01L 21/60 311 W ,  H01L 23/12 L

Fターム (15件)：

4M109AA01 ,  4M109BA05 ,  4M109CA21 ,  4M109DA08 ,  4M109DA09 ,  4M109DA10 ,  4M109DB12 ,  5F044AA02 ,  5F044MM03 ,  5F044MM07 ,  5F044MM08 ,  5F044RR18 ,  5F061AA01 ,  5F061BA05 ,  5F061CA21