特許
J-GLOBAL ID：200903043564536519
発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083856
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308152
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 P型半導体とN型半導体の接合部を有し、該接合部に順方向に電圧を印加することにより発光させる発光素子において、電流の増加に対する光量の増加率が一定になり、各種機器に使用した場合に光量を制御し易い発光素子を提供することを目的とするものである。【構成】 P型ガリウム砒素リン半導体1とN型ガリウム砒素リン半導体2を有し、半導体表面に配置された正電極3と、P型ガリウム砒素リン半導体1とN型ガリウム砒素リン半導体2の接合部が半導体表面に露出する部分との間に高抵抗領域5を設ける。また高抵抗領域5は溝によって設けてもよい。
請求項（抜粋）：
P型半導体とN型半導体の接合部を有し、該接合部に順方向に電圧を印加することにより発光させる発光素子において、半導体表面に配置された電極と、P型半導体とN型半導体の接合部が半導体表面に露出する部分との間に高抵抗領域を設けたことを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
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