特許
J-GLOBAL ID:200903043566117068

ウェーハ洗浄装置及びウェーハの洗浄方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-040181
公開番号(公開出願番号):特開平8-236494
出願日: 1995年02月28日
公開日(公表日): 1996年09月13日
要約:
【要約】【目的】半導体ウェーハのウェット洗浄において、洗浄液への多量の金属不純物混入を即時感知し半導体ウェーハの金属不純物汚染を抑制する。【構成】ウェーハ洗浄装置の洗浄槽部の循環配管に過酸化水素濃度計6を取り付け、この濃度計6からのデータをあらかじめ記憶させた判定データとを比較解析しウェーハの洗浄の可否の信号を表示板17及びキャリア搬送系駆動部17に送る制御部7を設ける。多量の金属不純物が洗浄液(APM)に混入した場合には通常時と比較して洗浄液(APM)中の過酸化水素濃度の減少量が大きくなるため、その過酸化水素濃度の変化から金属不純物混入と判断しウェーハ洗浄の禁止、洗浄液(APM)の廃液、洗浄装置の洗浄を行い新しい洗浄液(APM)の給液を行う。
請求項(抜粋):
過酸化水素を含む洗浄液で半導体ウェーハを洗浄するウェーハ洗浄装置において、前記洗浄液中の過酸化水素の濃度を測定する濃度計と、この濃度計から送出された測定データとあらかじめ記憶させた判定データとを比較解析しウェーハの洗浄の可否の信号を表示系又はウェーハ搬送系へ送出する制御部とを設けたことを特徴とするウェーハ洗浄装置。
IPC (2件):
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304
FI (3件):
H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 S

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