特許
J-GLOBAL ID：200903043569987500
発光ダイオード
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175768
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090020
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 発光領域が広く、発光効率の高い発光ダイオードを提供する。【構成】 半導体基板上にエピタキシャル成長発光層を積載した発光ダイオードにおいて、発光層上に電気抵抗が1〜1×10-3Ωcmと低いエピタキシャル層とを配置し、電極より印加された電流が発光層の全面に拡散するようにした。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上にエピタキシャル成長発光層を積載した発光ダイオードにおいて、基板と反対側の発光層の上に電気抵抗の高いエピタキシャル成長層と電気抵抗の低いエピタキシャル成長層とを具備したことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
