特許
J-GLOBAL ID：200903043573254577
接続孔の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274842
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090420
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 下地導電体を覆う層間絶縁膜にレジスト膜をマスクとしてエッチングすることにより該層間絶縁膜表面を露出させる接続孔(スルーホール)を形成する接続孔の形成方法において、エッチング時間の短縮を図りつつ上層配線膜のステップカバレッジが良くなるようにする。【構成】 先ず、異方性エッチングにより層間絶縁膜に下地導電体が露出しない深さの接続孔を形成し、その後、等方性エッチングにより接続孔を下地導電体が露出する深さにする。
請求項（抜粋）：
下地導電体を覆う層間絶縁膜に対してレジスト膜をマスクとしてエッチングをすることにより該層間絶縁膜表面を露出させる接続孔を形成する接続孔の形成方法において、上記レジスト膜をマスクとして上記層間絶縁膜に対して先ず異方性エッチングにより上記層間絶縁膜表面を露出させるに至らない深さの接続孔を形成し、次に、上記レジスト膜をマスクとして等方性エッチングを行うことにより上記接続孔を上記下地導電体表面が露出する深さにすることを特徴とする接続孔の形成方法
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
