特許

J-GLOBAL ID：200903043574340507

基板の温度測定方法

発明者： 石井 信雄 ,  伊藤 昌文
出願人/特許権者： 伊藤 昌文 ,  東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-319546
公開番号（公開出願番号）：特開2005-084019
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】 多重干渉を引き起こす薄膜層があっても,複数層基板の温度を正確に測定する。【解決手段】 中心波長が異なった2以上の異なった低コヒーレンス光源51,52,53からの低コヒーレンス光を測定対象物31と参照光ミラー32に照射し,その反射光の干渉波形から,干渉強度を各波長ごとに測定する。その後各波長ごとの相互比率を求め,予め取得していた膜厚-干渉比特性と比較して,測定対象物31の薄膜層の膜厚を推定する。その後前記干渉波形から薄膜層の影響分を引いた後の光路長の変化から,測定対象物31の温度を求める。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

低コヒーレンス光を利用して,この低コヒーレンス光のコヒーレンス長よりも短い厚さの薄膜層を有する複数層基板の温度を測定する方法であって, 前記低コヒーレンス光を前記基板の表面又は裏面に照射し,前記基板からの反射光と参照光との干渉を測定し,その時の干渉波形を複数層基板全体のものとみなし, 温度変化前の前記複数層基板の干渉波形とのズレを測定し,それによって得られた光路長変化に基づいて前記基板の温度を求めることを特徴とする,基板の温度測定方法。

IPC (2件)：

G01K11/12 ,  H01L21/02

FI (2件)：

G01K11/12 C ,  H01L21/02 Z

Fターム (34件)：

2F056VF02 ,  2F056VF11 ,  2F056VF13 ,  2F056VF15 ,  2F056VF16 ,  2F056VF17 ,  2F065AA06 ,  2F065AA30 ,  2F065BB01 ,  2F065CC19 ,  2F065CC31 ,  2F065CC32 ,  2F065DD00 ,  2F065DD03 ,  2F065FF52 ,  2F065GG06 ,  2F065GG07 ,  2F065GG23 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ09 ,  2F065LL02 ,  2F065LL12 ,  2F065LL13 ,  2F065LL20 ,  2F065LL46 ,  2F065LL67 ,  2F065MM16 ,  2F065QQ03 ,  2F065RR08 ,  2F065SS13 ,  2F065UU05 ,  2F065UU07