特許

J-GLOBAL ID：200903043577045433

被膜の形成方法、及び該被膜の形成装置

発明者： 蔵本 慶一 ,  平野 均 ,  堂本 洋一 ,  樽井 久樹 ,  木山 精一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-107885
公開番号（公開出願番号）：特開平10-081974
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 従来の装置にあっては、基板(28)上に形成される炭素被膜は一般的に内部応力が高く、膜厚の増加に伴って、被膜の剥離、ないしは基板の反りが発生していた。【解決手段】 本発明の被膜の形成方法は、被膜を形成する基板(28)に、自己バイアス電圧を発生させるための高周波電圧を印加し乍ら、出発ガスをプラズマ分解して、上記基板(28)に堆積させる被膜の形成方法において、上記基板(28)上への被膜の形成中に、上記高周波電圧の波形を変化させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被膜を形成する基板に高周波電圧を印加し乍ら、出発ガスをプラズマ分解して、上記基板に堆積させる被膜の形成方法において、上記基板上への被膜の形成中に、上記高周波電圧の波形を変化させることを特徴とする被膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04

FI (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04 D