特許
J-GLOBAL ID：200903043586143758
積層構造放熱基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158392
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012767
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 積層されたCu-Mo複合材において,所望する熱膨張係数及び熱伝導率を備えるとともに,安価で量産化が可能である層厚の比が安定・高精度な積層構造放熱基板,その製造方法,及びそれを用いたマイクロ波用パッケージの放熱基板と,マイクロ波用半導体パッケージを提供すること。【解決手段】 積層構造放熱基板は,マイクロ波用パッケージの放熱基板に用いられ,第1層として銅(Cu)と,第2層としてモリブデン(Mo)又はCu-Mo複合材と,第3層としてCuとを用意するとともに,前記第2層の両面にAgめっきを施し,前記第1層,第2層,及び第3層をこの順に積層して,温間一軸押圧によって前記第1層,第2層,及び第3層を接合することによって製造される。この積層構造放熱基板は,加工後の各層の厚みのばらつきが,第2層を1とした時に,第1層,第3層共に±10%以内にあり,250W/m・K以上の熱伝導率を有する。
請求項（抜粋）：
マイクロ波用パッケージの放熱基板において,第1層として銅(Cu)と,第2層としてモリブデン(Mo)又はCu-Mo複合材と,第3層としてCuとをこの順に積層し,加工した積層構造放熱基板であって,加工後の各層の厚みのばらつきが,前記第2層の厚みを1とした場合,±10%以内であり,前記第1層と前記第2層との界面及び前記第2層と前記第3層との界面に,銀(Ag)層を有し,少なくとも250W/m・Kの熱伝導率を有することを特徴とする積層構造放熱基板。
IPC (3件)：
H01L 23/14
, H01L 23/12 301
, H01L 23/373
H01L 23/14 M
, H01L 23/12 301 J
, H01L 23/36 M
