特許

J-GLOBAL ID：200903043589934241

半導体装置の製造法

発明者： 寶地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105202
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259124
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 基板側を陽極とし、対極を陰極として両極間に高周波プラズマを発生せしめて半導体装置を製造する場合、電子が基板上に照射され難く負イオンが照射される半導体装置の製造法を提供することを目的とする。【構成】 フッ素、酸素、塩素、臭素、窒素、水素のうち少なくとも一つ以上の元素を含む気体をプラズマ状態にし、負イオンを網状の陽極を通して取り出して用いる。すなわち、プラズマ状態で生じた電子は移動度が極めて大きいので、網状の陽極で効率的に捕集でき、基板に不要な電子を照射しないですむ。【効果】 基板上に照射されるイオンが正イオンではなく負イオンであり、かつ電子が照射されないため、基板表面付近の化学反応が極めて円滑に進行し、そのため極めて優れた半導体装置を製造できる。

請求項（抜粋）：

フッ素、酸素、塩素、臭素、窒素、水素のうち少なくとも一つ以上の元素を含む気体をプラズマ状態にし、網状の陽極を通して取り出す当該元素の負イオンを用いることを特徴とする半導体装置の製造法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027