特許
J-GLOBAL ID：200903043593401746
誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-004466
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051165
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 良好な特性を有する誘電体キャパシタを提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板2に、ソース領域4、ドレイン領域6が形成され、チャネル領域上にゲート電極8が形成されている。このトランジスタのドレイン領域6の上に、ポリシリコンによるプラグ10が形成されている。このポリシリコン・プラグ10の上に、酸化イリジウム層11が形成されている。酸化イリジウム層11の上に、白金層12が形成されている。したがって、白金層12は配向して形成される。その上に強誘電体であるPZT層14が形成されている。配向した白金層12の上にPZT層14を形成することができ、強誘電性を向上させることができる。また、ポリシリコン10との界面に酸化物を生じるおそれがない。
請求項（抜粋）：
ポリシリコン層、ポリシリサイド層またはタングステン層からなる下地層、下地層の上に設けられた酸化イリジウム層、酸化イリジウム層の上に設けられたイリジウム層、イリジウム層の上に設けられた強誘電体層または高誘電率薄膜、強誘電体層または高誘電率薄膜の上に設けられた上部電極、を備えた誘電体キャパシタ。
IPC (9件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01G 4/33
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 27/10 451
H01L 29/78 371
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 J
