特許
J-GLOBAL ID：200903043596686601
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-152086
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017859
出願日： 1994年07月04日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、十分に大きな許容電流を持ち、かつワイヤボンディング時の機械的ストレスによって、層間絶縁膜にクラックが発生しないように改良された、ボンディングパッドの電極構造に関する。【構成】 半導体基板1の上に、直接的に層間絶縁膜2a,2bが設けられている。層間絶縁膜2a,2bの上に最上層配線層4が設けられている。ボンディングパッドとして用いる最上層配線層の部分4aの直下には、下層配線層が存在しないため、ワイヤボンディング時に、層間絶縁膜2b,2b中にクラックは発生しない。また、最上層配線層4と下層配線層3a,3bが接続されているので、ボンディングパッドに入った電流は、これらの配線層に分散される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた下層配線層と、前記下層配線層の上および前記下層配線層が存在しない領域を覆うように前記半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上であって、前記下層配線層の上および前記下層配線層が存在しない領域の上を被覆するように設けられた最上層配線層と、前記層間絶縁膜中に設けられ、前記最上層配線層と前記下層配線層とを接続するためのバイアホールと、前記バイアホール内に埋込まれ、前記最上層配線層と前記下層配線層とを電気的接続するための導電部材と、を備え、前記最上層配線層の、前記下層配線層が存在しない領域の上部分は、ボンディングパッドとして用いられている、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/3205
