特許

J-GLOBAL ID：200903043597380913

液浸露光プロセス用レジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法

発明者： 遠藤 浩太朗 ,  吉田 正昭 ,  平山 拓 ,  辻 裕光 ,  緒方 寿幸 ,  佐藤 充
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-352266
公開番号（公開出願番号）：特開2005-099646
出願日： 2003年10月10日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】新たなリソグラフィー技術である液浸露光プロセスに用いて好適なF2レジスト組成物と、このF2レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法とを提供する。【解決手段】(A)(i)フッ素原子またはフッ素化アルキル基および(ii)アルコール性水酸基を共に有する脂肪族環式基を含むアルカリ可溶性の構成単位(a1)を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体および(B)光照射により酸を発生する酸発生剤を含有させてなる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

液体を介してレジスト膜を露光する液浸露光プロセスに用いる液浸露光プロセス用レジスト組成物であって、 該レジスト組成物を用いて形成した塗膜を露光後又は未露光のままフッ素系の液体に浸漬し、次いで該浸漬状態で水晶振動子法により該塗膜の膜厚の変化を測定したとき、露光後塗膜と未露光塗膜の両方において、測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量が3.0nm以下であることを特徴とする液浸露光プロセス用レジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/26 ,  H01L21/30 502R

Fターム (18件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC03 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CB42 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025DA01 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096EA11

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 国際公開第WO 00/67072号パンフレット
  
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190647   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• レジスト組成物
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2002000794   出願人：旭硝子株式会社
• 含フッ素化合物、含フッ素ポリマー及びその製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2002000796   出願人：旭硝子株式会社