特許

J-GLOBAL ID：200903043600551503

高周波可変減衰器および高周波可変減衰器の制御方法

発明者： ▲高▼田 正人 ,  渡邊 智
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青木 輝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063414
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261290
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 FETで構成した高周波可変減衰器の入出力インピーダンスを一定に保つように、容易に制御する。【解決手段】 ドレイン-ソース間抵抗(Rds)をゲート電圧(Vd)によって制御するFETをT型に構成した高周波可変減衰器の、スルーFETに並列に抵抗を設け、その抵抗値を高周波可変減衰器の入出力インピーダンスに依存する適当な値を設定し、シャントFET及びスルーFETのゲート端子への制御電圧を、FETのRds-Vds関係に依存するクロス電圧を中心に対称に制御することによって、高周波可変減衰器の入出力インピーダンスを一定に保ちつつ減衰量を変化させることができる。

請求項（抜粋）：

複数のFETをゲート電圧によって制御可能な可変インピーダンス素子として使用して構成した高周波可変減衰器であって、各々のスルーFETにそれぞれ並列に接続して入出力インピーダンスに依存する2個のインピーダンス素子と、前記各々のスルーFETのゲート端子にそれぞれ直列に一端が接続され、且つ他端がスルー制御電圧端子へ接続されたスルーバイアス抵抗素子と、各々のシャントFETのゲート端子にそれぞれ直列に一端が接続され、且つ他端がシャント制御電圧端子へ接続されたシャントバイアス抵抗素子と、FETデバイス特性に依存するクロス電圧に対し対称に制御するスルー制御電圧及びシャント制御電圧を前記スルー制御電圧端子およびシャント制御電圧端子へ加えることにより、入出力インピーダンスを一定に保ちつつ減衰量を変化させることを特徴とする高周波可変減衰器。

IPC (3件)：

H03H 11/24 ,  H01P 1/22 ,  H03H 7/25

FI (3件)：

H03H 11/24 B ,  H01P 1/22 ,  H03H 7/25

Fターム (11件)：

5J013AA06 ,  5J026AA01 ,  5J026AA10 ,  5J098AA03 ,  5J098AA11 ,  5J098AB02 ,  5J098AC05 ,  5J098AC14 ,  5J098AC20 ,  5J098AD20 ,  5J098EA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-301610
  
• 特開平3-238910
  
• 特開昭63-301610
  
• 特開平3-238910