特許
J-GLOBAL ID：200903043609430172

半導体光装置及び透明光学部材

発明者：
篠谷 賢一

篠谷 賢一 について

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林 隆夫

林 隆夫 について

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藤井 俊平

藤井 俊平 について

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高村 徳宏

高村 徳宏 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-319051
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251123
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】半導体発光素子または半導体受光素子を封止材で封止した半導体光装置において、封止材が劣化し難くまた吸水率が低い半導体光装置を提供する。【解決手段】次のかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応した部分重合物を含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止する。(AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)s(HOSiO1.5)m-n-s(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p-q-r(Aは炭素-炭素不飽和結合を有する鎖状炭化水素基、B及びEは飽和アルキル基あるいは水酸基、R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8はメチル基又はフェニル基等、m及びqは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、qは2〜pの整数、rは0〜p-qの整数、sは0〜m-n)【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物と、下記式(2)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物とを含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止して成ることを特徴とする半導体光装置。 (AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)s(HOSiO1.5)m-n-s ...(1) (式(1)中、Aは炭素-炭素不飽和結合を有する鎖状炭化水素基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、sは0〜m-nの整数を表す) (R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p-q-r ...(2) (式(2)中、Eは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R5,R6,R7,R8は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、pは6,8,10,12から選ばれた数、qは2〜pの整数、rは0〜p-qの整数を表す)
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 31/02 ,  C08G 77/42
FI (3件)：
H01L33/00 N ,  H01L31/02 B ,  C08G77/42
Fターム (36件)：
4J246AA03 ,  4J246AB02 ,  4J246AB07 ,  4J246BA12X ,  4J246BA120 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB021 ,  4J246BB14X ,  4J246BB140 ,  4J246BB142 ,  4J246CA01X ,  4J246CA010 ,  4J246CA05X ,  4J246CA050 ,  4J246CA120 ,  4J246CA130 ,  4J246CA230 ,  4J246CA240 ,  4J246CA250 ,  4J246CA270 ,  4J246CA33X ,  4J246CA330 ,  4J246CA340 ,  4J246CA360 ,  4J246CA45X ,  4J246CA450 ,  4J246CA460 ,  4J246FA371 ,  4J246GC22 ,  4J246HA29 ,  5F041AA34 ,  5F041AA44 ,  5F041DA43 ,  5F088BA11 ,  5F088JA06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3412152号公報
審査官引用 (3件)

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